MC34152DR2
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 12.9801 CNY 11.6821 CNY 11.1629 CNY 10.3841 CNY 9.9514 CNY 9.7783 CNY 9.4322 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 低端
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 1.5A,1.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 非反相
上升/下降时间(典型值): 36ns,32ns
工作温度: 0°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
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