IRS21864PBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 38.4699 CNY 34.6229 CNY 33.0841 CNY 30.7759 CNY 29.4936 CNY 28.9807 CNY 27.9548 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 高压侧或低压侧
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 4A,4A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 22ns,18ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装: 14-DIP
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