IR2101STRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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5+ 50+ 250+ 500+ 1000+ 1250+ 2500+ |
CNY 2.6901 CNY 2.4211 CNY 2.3135 CNY 2.1521 CNY 2.0624 CNY 2.0265 CNY 1.9548 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 210mA,360mA
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 100ns,50ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
电压 - 电源: -
逻辑电压 - VIL,VIH: -
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