IRS26302DJTRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 31.7250 CNY 28.5525 CNY 27.2835 CNY 25.3800 CNY 24.3225 CNY 23.8995 CNY 23.0535 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 半桥
通道类型: 3 相
驱动器数: 6
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 200mA,350mA
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 125ns,50ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 44-LCC(J形引线),32 引线
供应商器件封装: 44-PLCC,32 引线(16.58x16.58)
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