IRS2113MTRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 12.2400 CNY 11.0160 CNY 10.5264 CNY 9.7920 CNY 9.3840 CNY 9.2208 CNY 8.8944 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 2.5A,2.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 25ns,17ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 16-VFQFN 裸露焊盘,14 引线
供应商器件封装: 16-MLPQ(4x4)
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