NCV51511PDR2G
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 14.6100 CNY 13.1490 CNY 12.5646 CNY 11.6880 CNY 11.2010 CNY 11.0062 CNY 10.6166 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: 汽车级,AEC-Q100
驱动配置: 高压侧或低压侧
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 3A,6A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 100V
上升/下降时间(典型值): 6ns,4ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
供应商器件封装: 8-SOIC-EP
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