IR2112SPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 29.5650 CNY 26.6085 CNY 25.4259 CNY 23.6520 CNY 22.6665 CNY 22.2723 CNY 21.4839 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 高压侧或低压侧
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 250mA,500mA
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 80ns,40ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装: 16-SOIC
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