2ED2109S06FXUMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 38.4405 CNY 34.5965 CNY 33.0588 CNY 30.7524 CNY 29.4711 CNY 28.9585 CNY 27.9334 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
驱动配置: 半桥
通道类型: 同步
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): CB,cCSAus,CE,CQC,TUV
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 650V
上升/下降时间(典型值): 100ns,35ns
工作温度: -40°C ~ 125°C(TA)
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: PG-DSO-8-53
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