IPW65R110CFDA
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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5+ 50+ 250+ 500+ 1000+ 1250+ 2500+ |
CNY 84.3750 CNY 75.9375 CNY 72.5625 CNY 67.5000 CNY 64.6875 CNY 63.5625 CNY 61.3125 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 12.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3240pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 277.8W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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