IMBF170R650M1XTMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 49.3332 CNY 44.3999 CNY 42.4266 CNY 39.4666 CNY 37.8221 CNY 37.1643 CNY 35.8488 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: CoolSiC™
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 650毫欧 @ 1.5A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 1.7mA
Vgs(最大值): +20V, -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 88W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: -55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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