IPB048N15N5LF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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CNY 144.4128 CNY 129.9715 CNY 124.1950 CNY 115.5302 CNY 110.7165 CNY 108.7910 CNY 104.9400 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: OptiMOS™-5
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 255µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380pF @ 75V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 313W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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