IRF5802TR
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 2.0727 CNY 1.8654 CNY 1.7825 CNY 1.6582 CNY 1.5891 CNY 1.5614 CNY 1.5062 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: *
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 900mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 540mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 250µA
Vgs(最大值): 6.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 88pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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