IRL1004
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 17.9340 CNY 16.1406 CNY 15.4232 CNY 14.3472 CNY 13.7494 CNY 13.5103 CNY 13.0320 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 @ 78A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5330pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录