IRFP4332PBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 15.0822 CNY 13.5740 CNY 12.9707 CNY 12.0658 CNY 11.5630 CNY 11.3619 CNY 10.9597 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5860pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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