IPP023N08N5AKSA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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CNY 62.7102 CNY 56.4392 CNY 53.9308 CNY 50.1682 CNY 48.0778 CNY 47.2417 CNY 45.5694 |
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系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 208µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12100pF @ 40V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
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