IRL2910STRRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 13.4400 CNY 12.0960 CNY 11.5584 CNY 10.7520 CNY 10.3040 CNY 10.1248 CNY 9.7664 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 55A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
Vgs(最大值): 140nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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