IPI076N12N3GAKSA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 15.2400 CNY 13.7160 CNY 13.1064 CNY 12.1920 CNY 11.6840 CNY 11.4808 CNY 11.0744 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 120V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 130µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6640pF @ 60V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 188W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录