IPB039N10N3GE8187ATMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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CNY 17.1150 CNY 15.4035 CNY 14.7189 CNY 13.6920 CNY 13.1215 CNY 12.8933 CNY 12.4369 |
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系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 160µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8410pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 214W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
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