BSO080P03NS3GXUMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 3.7950 CNY 3.4155 CNY 3.2637 CNY 3.0360 CNY 2.9095 CNY 2.8589 CNY 2.7577 |
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系列: OptiMOS™
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 14.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.1V @ 150µA
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6750pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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