FCB199N65S3
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 17.5800 CNY 15.8220 CNY 15.1188 CNY 14.0640 CNY 13.4780 CNY 13.2436 CNY 12.7748 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: SuperFET® III
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 199 毫欧 @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1.4mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1225pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 98W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录