NTMYS4D6N04CLTWG
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 7.6350 CNY 6.8715 CNY 6.5661 CNY 6.1080 CNY 5.8535 CNY 5.7517 CNY 5.5481 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 40µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.6W(Ta), 50W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录