PSMN4R2-30MLDX
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 100+ 200+ 250+ 500+ |
CNY 3.1899 CNY 2.8709 CNY 2.7433 CNY 2.5519 CNY 2.4456 CNY 2.4031 CNY 2.3180 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1795pF @ 15V
FET 功能: 肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值): 65W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-1210,8-LFPAK33
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