SSM3J114TU(TE85L)
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.9200 CNY 1.7280 CNY 1.6512 CNY 1.5360 CNY 1.4720 CNY 1.4464 CNY 1.3952 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 149 毫欧 @ 600mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 331pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录