*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 25V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 30mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1V @ 3nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 10 Ohms

功率 - 最大值： 350mW

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-92-3