*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.5mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 800mV @ 10nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 300 Ohms

功率 - 最大值： 225mW

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

漏源电压（Vdss）： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -