*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： N 通道

漏源电压（Vdss）： N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6mA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值： 2.6mA @ 10V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400mV @ 100nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF @ 10V

电阻 - RDS(On)： 8.2pF @ 10V

功率 - 最大值： 100mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： USM