*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30V

漏源电压（Vdss）： 30V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 175mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值： 175mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 10V @ 500pA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 25 Ohms

功率 - 最大值： 360mW

工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-18