SCT3040KRC14
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 174.4500 CNY 157.0050 CNY 150.0270 CNY 139.5600 CNY 133.7450 CNY 131.4190 CNY 126.7670 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 10mA
Vgs(最大值): +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1337pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 262W
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-4
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