TK31N60W5,S1VF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 30.1650 CNY 27.1485 CNY 25.9419 CNY 24.1320 CNY 23.1265 CNY 22.7243 CNY 21.9199 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: DTMOSIV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 99 毫欧 @ 15.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1.5mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3000pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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