TK090N65Z,S1F
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 24.2400 CNY 21.8160 CNY 20.8464 CNY 19.3920 CNY 18.5840 CNY 18.2608 CNY 17.6144 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: DTMOSVI
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1.27mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2780pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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