TK16E60W5,S1VX
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 13.9350 CNY 12.5415 CNY 11.9841 CNY 11.1480 CNY 10.6835 CNY 10.4977 CNY 10.1261 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: DTMOSIV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 @ 7.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 790µA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
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