IXFN52N100X
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 172.9350 CNY 155.6415 CNY 148.7241 CNY 138.3480 CNY 132.5835 CNY 130.2777 CNY 125.6661 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HiPerFET™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V @ 4mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6725pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 830W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
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