IXFB62N80Q3
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 135.6750 CNY 122.1075 CNY 116.6805 CNY 108.5400 CNY 104.0175 CNY 102.2085 CNY 98.5905 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HiPerFET™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V @ 8mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13600pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1560W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
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