IXTX120P20T
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 86.2050 CNY 77.5845 CNY 74.1363 CNY 68.9640 CNY 66.0905 CNY 64.9411 CNY 62.6423 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: TrenchP™
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
Vgs(最大值): 740nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 73000pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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