IXKC23N60C5
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 116.2650 CNY 104.6385 CNY 99.9879 CNY 93.0120 CNY 89.1365 CNY 87.5863 CNY 84.4859 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: CoolMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 1.2mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800pF @ 100V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUS220™
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