IPD530N15N3GATMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 7.8750 CNY 7.0875 CNY 6.7725 CNY 6.3000 CNY 6.0375 CNY 5.9325 CNY 5.7225 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 35µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 887pF @ 75V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 68W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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