IRF6717MTRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 21.7119 CNY 19.5407 CNY 18.6722 CNY 17.3695 CNY 16.6458 CNY 16.3563 CNY 15.7773 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Ta),200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.25 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V @ 150µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6750pF @ 13V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),96W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DirectFET™ 等容 MX
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