RQ3E110AJTB
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.0656 CNY 0.9590 CNY 0.9164 CNY 0.8525 CNY 0.8170 CNY 0.8028 CNY 0.7743 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7mOhm @ 11A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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