SSM6J801R,LF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.8174 CNY 0.7356 CNY 0.7029 CNY 0.6539 CNY 0.6266 CNY 0.6157 CNY 0.5939 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: U-MOSVI
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32.5 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
Vgs(最大值): +6V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
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