IRLML6302TRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 3000+ |
CNY 0.4476 CNY 0.4029 CNY 0.3849 CNY 0.3581 CNY 0.3432 CNY 0.3372 CNY 0.3253 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 780mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 610mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 97pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 540mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
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