IPD70R1K4CEAUMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 3.4545 CNY 3.1091 CNY 2.9709 CNY 2.7636 CNY 2.6485 CNY 2.6024 CNY 2.5103 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: CoolMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 130µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225pF @ 100V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 53W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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