PSMN7R0-30YL,115
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 2.6449 CNY 2.3805 CNY 2.2747 CNY 2.1160 CNY 2.0278 CNY 1.9925 CNY 1.9220 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.15V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1270pF @ 12V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 51W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-100,SOT-669
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