IRLML6346TRPBF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 3000+ |
CNY 0.7056 CNY 0.6350 CNY 0.6068 CNY 0.5645 CNY 0.5410 CNY 0.5316 CNY 0.5127 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HEXFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 10µA
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF @ 24V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
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