STW69N65M5-4
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 41.1900 CNY 37.0710 CNY 35.4234 CNY 32.9520 CNY 31.5790 CNY 31.0298 CNY 29.9314 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: MDmesh™ V
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6420pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 330W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-4
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