NTBG020N090SC1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 202.5300 CNY 182.2770 CNY 174.1758 CNY 162.0240 CNY 155.2730 CNY 152.5726 CNY 147.1718 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta),112A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 @ 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 20mA
Vgs(最大值): +19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4415pF @ 450V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),477W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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