TK1R4F04PB,LXGQ
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 9.6750 CNY 8.7075 CNY 8.3205 CNY 7.7400 CNY 7.4175 CNY 7.2885 CNY 7.0305 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: U-MOSIX-H
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 @ 80A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 500µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5500pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 205W(Tc)
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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