TPH2R506PL,L1Q
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 14.0385 CNY 12.6347 CNY 12.0731 CNY 11.2308 CNY 10.7629 CNY 10.5757 CNY 10.2013 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: U-MOSIX-H
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.4 毫欧 @ 30A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 500µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5435pF @ 30V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 132W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录