SSM6G18NU,LF
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.7563 CNY 0.6807 CNY 0.6504 CNY 0.6050 CNY 0.5798 CNY 0.5697 CNY 0.5496 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 112 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF @ 10V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
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