2SK3019-TP
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.3863 CNY 0.3476 CNY 0.3322 CNY 0.3090 CNY 0.2961 CNY 0.2910 CNY 0.2807 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 100µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13pF @ 5V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-523
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