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AON6407

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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

系列: -

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 250µA

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3505pF @ 15V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 7.3W(Ta),83W(Tc)

工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

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